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地 址：湖南省株洲市芦淞区航空大道湖南辉佳环保财产园4-2#栋
设备概述：
专为高质量、大面积石墨烯薄膜制备设计，采用化学气相沉积（CVD）技术，支持铜箔、镍箔等多种基底，满足科研与工业化生产需求
技术特点：
核心参数与技术优势
生长层数可控：单层率＞95%（拉曼表征）
超均匀生长：温度均匀性±2℃，气流稳定性±1%
高纯度保障：真空度≤10⁻⁶ Pa，支持Ar/H₂/CH₄等气氛
智能控制：PLC+触摸屏，预设石墨烯生长工艺曲线
多基底适配：铜箔（主流）、镍箔、SiO₂/Si等
技术参数(可接受非标定制）：
产品展示：
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