一、重大突破：晨昕首台SiC外延CVD炉交付头部客户，性能达国际先进水平

近日，株洲晨昕自主研发的高性能碳化硅（SiC）外延化学气相沉积（CVD）炉，在完成严苛工艺验证后，正式交付国内某头部半导体企业并投入量产。该设备凭借国际领先的温度均匀性（±1℃）、超稳气体控制及优异外延膜质量，获客户高度认可，标志着晨昕成功打破国外垄断，跻身第三代半导体核心装备国际先进行列。

二、攻克核心壁垒：三大创新破解外延生长世界级难题

针对SiC外延生长对极致温控（±1.5℃内）、气体均匀性及系统稳定性的严苛要求，晨昕技术团队实现三大突破：

±1℃超精温控： 采用高频感应+红外闭环控制，在1500-1650℃关键区间实现温度波动≤±1℃，精度居国际顶尖水平；

98%超高均匀性： 创新智能流场设计，确保反应气体均匀性＞98%；

3%超低厚度偏差： 全自动化控制系统保障外延片厚度不均匀性＜3%，满足车规级严苛标准。

三、60天极速交付：中国速度刷新行业纪录

为响应客户加速产线建设的需求，晨昕创造交付奇迹：

3天定制方案： 快速响应机制实现需求精准对接；

模块化智造： 关键部件预组装大幅压缩生产周期；

60天全程交付： 从签约到量产应用仅用60天，较国际品牌标准周期缩短40%，树立行业新标杆。

四、客户盛赞：“国产装备里程碑式进步”

客户工艺总监在验收时高度评价：“晨昕CVD炉的外延生长速率与掺杂精度完全达标，其连续运行200小时性能零衰减的稳定性，更是我们产能爬坡的关键保障！” 目前，该设备已稳定产出高品质4/6英寸SiC外延片，关键参数全面符合车规级功率器件要求。

五、战略升级：晨昕锚定第三代半导体装备国产化

“此次SiC外延炉的成功交付，是晨昕‘半导体核心装备国产化’战略的重大里程碑，” 公司总经理在交付仪式上宣布，“我们已启动二期研发中心建设，将重点攻关8英寸SiC外延及GaN-on-SiC等前沿设备，持续突破‘卡脖子’技术，赋能中国半导体财产自主可控！”